当代财经网2月23日讯 3D架构的NAND型快闪记忆体竞争越来越激烈,东芝于去年7月宣布领先全球同业开始提供堆叠64层的256Gb(32GB)3D Flash的样品出货,之后三星于去年8月宣布,堆叠64层的3D Flash产品将在2016年Q4(10-12月)开卖。
而现在又换东芝出手,宣布容量提高1倍的64层512Gb(64GB)3D Flash已进行送样、且将在今年下半年量产。东芝22日发布新闻稿宣布,採用堆叠64层製程技术的512Gb(64GB)3D Flash已于2月上旬进行样品出货,且预计将在2017年下半年进行量产,主要用于抢攻数据中心/PC用SSD等市场。
另外,堆叠16片512Gb晶片、实现业界最大容量1TB的产品预计将在今年4月进行样品出货东芝表示,和48层256Gb产品相比,64层512Gb产品每单位面积的记忆容量扩大至约1.65倍,且每片晶圆所能生产的记忆容量增加、每bit成本也下滑。
产经新闻报导,据东芝指出,东芝是全球第一家提供64层512Gb 3D Flash样品的厂商;东芝已于今年1月量产64层256Gb 3D Flash产品。
报导指出,东芝推出512Gb产品,就是要用来对抗三星等竞争对手,而南韩SK Hynix则计画在今年下半年量产72层产品,研发竞争益发激烈。东芝为全球第2大NAND Flash厂,而东芝以NAND Flash为主轴的记忆体事业(含SSD事业、不含影像感测器)将在2017年3月31日分拆出去、成立一家半导体新公司,且东芝计画出售半导体新公司股权、筹措资金,而据悉鸿海(2317)、台积电(2330)、苹果(Apple)皆有意参与竞标。